Samsung acelera IA com memória V10 BV-NAND e zHBM
Destaques
- •Samsung lança 10ª geração de memória flash V10 BV-NAND, superando 400 camadas empilhadas.
- •Nova arquitetura zHBM promete até 8x mais desempenho e 10x mais densidade para processamento de IA.
- •Inovações visam reduzir gargalos de transferência e aumentar eficiência energética em data centers.
A Samsung não está brincando quando o assunto é o futuro da inteligência artificial. A gigante sul-coreana acaba de apresentar a sua 10ª geração de armazenamento flash, a V10 BV-NAND, quebrando a barreira de 400 camadas empilhadas.
Mas a grande sacada para turbinar a IA veio com o modelo conceitual da memória zHBM. Pense em chips de memória empilhados verticalmente, direto sobre os aceleradores de IA, eliminando a distância e gargalos de transferência.
A promessa é de um salto absurdo: cerca de 8x o desempenho da futura HBM5, com 10x mais densidade e tripla eficiência energética.
Para completar o cardápio, a Samsung também trouxe a zNAND-O para Edge AI e a LPDDR5X-PIM, que integra processamento direto nos chips de RAM. Basicamente, estão preparando o terreno para que a IA rode mais rápida e eficiente em data centers e até em nossos dispositivos.
Essa corrida por memórias mais potentes e eficientes é crucial para acompanhar a demanda crescente de processamento de IA, mostrando que o hardware precisa evoluir junto com os algoritmos. 🚀
